бүтээгдэхүүн

Бүтээгдэхүүн

Хоногт төгсгөл

Хоног төгсгөлийг хэлхээний төгсгөлд суурилуулсан бөгөөд энэ нь хэлхээнд дамжуулагдсан дохиог шингээж, дохионы тусгалаас сэргийлж, улмаар хэлхээний системийн дамжуулах чанарт нөлөөлдөг.

Хоног терминал нь фланц ба нөхөөстэй нэг хар тугалгатай терминалын резисторыг гагнах замаар угсардаг.Хоногны хэмжээ нь ихэвчлэн суурилуулах цооног ба терминалын эсэргүүцлийн хэмжигдэхүүнүүдийн хослол дээр үндэслэн хийгдсэн байдаг.Мөн хэрэглэгчийн хэрэглээний шаардлагын дагуу тохируулга хийх боломжтой.


  • :
  • Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

    Бүтээгдэхүүний шошго

    Хоногт төгсгөл

    Хоногт төгсгөл
    Үндсэн техникийн үзүүлэлтүүд:

    Нэрлэсэн хүч: 5-1500W;
    Субстрат материал: BeO, AlN, Al2O3
    Нэрлэсэн эсэргүүцлийн утга: 50Ω
    Эсэргүүцлийн хүлцэл: ± 5%, ± 2%, ± 1%
    Температурын коэффициент:<150ppm/℃
    Ашиглалтын температур: -55~+150℃
    Хоног бүрэх: нэмэлт никель эсвэл мөнгөн бүрэх
    ROHS стандарт: нийцэж байна
    Холбогдох стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Хар тугалганы урт: Өгөгдлийн хуудсанд заасан L
    (Хэрэглэгчийн шаардлагад нийцүүлэн өөрчлөх боломжтой)

    zxczxc1
    Хүч
    (W)
    Давтамж
    Хүрээ
    Хэмжээ (нэгж: мм) СубстратМатериал Тохиргоо Мэдээллийн хуудас
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ЗУРАГ1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  ЗУРАГ1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ЗУРАГ 2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ЗУРАГ 2   RFT50-10TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ЗУРАГ1   RFT50A-10TM1304
    АлН ЗУРАГ1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  ЗУРАГ1   RFT50A-10TM1104
    АлН ЗУРАГ1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 ЗУРАГ 2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      АлН ЗУРАГ 2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ЗУРАГ1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO ЗУРАГ1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ЗУРАГ 2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ЗУРАГ 2   RFT50-10TM7705I
    20Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ЗУРАГ 2   RFT50-20TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 АлН ЗУРАГ1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 АлН ЗУРАГ1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 АлН ЗУРАГ 2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ЗУРАГ1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO ЗУРАГ1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ЗУРАГ 2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ЗУРАГ 2   RFT50-10TM7705I
    30 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 АлН ЗУРАГ1   RFT50N-30TJ1606
    BeO ЗУРАГ1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН ЗУРАГ1   RFT50N-30TJ2006
    BeO ЗУРАГ1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН ЗУРАГ 2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO ЗУРАГ 2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 АлН ЗУРАГ1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO ЗУРАГ1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН ЗУРАГ1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO ЗУРАГ1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН ЗУРАГ 2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO ЗУРАГ 2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Хүч
    (W)
    Давтамж
    Хүрээ
    Хэмжээ (нэгж: мм) Субстрат
    Материал
    Тохиргоо Мэдээллийн хуудас(PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ЗУРАГ1   RFT50-100TM2595
    4 ГГц 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO ЗУРАГ 2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ 4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ЗУРАГ1   RFT50-100TJ2510
    5 ГГц 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ 2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO ЗУРАГ1   RFT50-100TM1663
    6 ГГц 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 АлН ЗУРАГ1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 АлН ЗУРАГ1   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 АлН ЗУРАГ1   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ 4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN ЗУРАГ1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ЗУРАГ1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ЗУРАГ1   RFT50-150TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ 4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ЗУРАГ1   RFT50-150TJ2510
    200 Вт 3 GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ЗУРАГ1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ЗУРАГ1   RFT50-200TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ 2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ЗУРАГ1   RFT50-150TJ2510
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ЗУРАГ1   RFT50-200TM3213B
    250 Вт 3 GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ЗУРАГ1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ1   RFT50-250TM2710
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ЗУРАГ1   RFT50-250TM3213B
    300 Вт 3 GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ЗУРАГ1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO ЗУРАГ1   RFT50-300TM2710
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ЗУРАГ1   RFT50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ЗУРАГ1   RFT50-400TM3213
    500 Вт 2 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ЗУРАГ1   RFT50-500TM3213
    800 Вт 1 ГГц 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO ЗУРАГ 5   RFT50-800TM4826
    1000 Вт 1 ГГц 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO ЗУРАГ 5   RFT50-1000TM4826
    1500 Вт 0.8 ГГц 50.0 78.0 40.0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 BeO ЗУРАГ 5   RFT50-1500TM5078

    Тойм

    Хоног нь ерөнхийдөө зэс бүрсэн никель эсвэл мөнгөний боловсруулалтаар хийгдсэн байдаг.Эсэргүүцэх субстрат нь ерөнхийдөө бериллийн исэл, хөнгөн цагаан нитрид, хөнгөн цагаан ислийн хэвлэмэл материалаар хийгдсэн бөгөөд эрчим хүчний шаардлага, дулаан ялгаруулах нөхцлийн дагуу.

    Хоногт төгсгөл нь хар тугалгатай төгсгөлийн нэгэн адил голчлон хэлхээний төгсгөлд дамжих дохионы долгионыг шингээж, дохионы тусгал хэлхээнд нөлөөлөхөөс сэргийлж, хэлхээний системийн дамжуулах чанарыг хангахад ашиглагддаг.

    Хоногт төгсгөл нь фланц болон фланц дээр бэхэлгээний нүхнүүдтэй тул нөхөөсийн резисторуудтай харьцуулахад хялбар суулгах шинж чанартай байдаг.


  • Өмнөх:
  • Дараачийн:

  • Энд мессежээ бичээд бидэнд илгээгээрэй