бүтээгдэхүүн

Бүтээгдэхүүн

Тэргүүлсэн цуцлалт

Leaded Termination нь хэлхээний төгсгөлд суурилуулсан резистор бөгөөд энэ нь хэлхээнд дамжуулагдсан дохиог шингээж, дохионы тусгал үүсэхээс сэргийлж, улмаар хэлхээний системийн дамжуулах чанарт нөлөөлдөг.

Хар тугалгатай төгсгөлийг мөн SMD нэг хар тугалгатай терминалын резистор гэж нэрлэдэг.Энэ нь хэлхээний төгсгөлд гагнуураар суурилагдсан.Гол зорилго нь хэлхээний төгсгөлд дамжих дохионы долгионыг шингээж, дохионы тусгал хэлхээнд нөлөөлөхөөс сэргийлж, хэлхээний системийн дамжуулах чанарыг хангахад оршино.


Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Бүтээгдэхүүний шошго

Тэргүүлсэн цуцлалт

Тэргүүлсэн цуцлалт
Үндсэн техникийн үзүүлэлтүүд:
Нэрлэсэн хүч: 5-800W;
Субстрат материал: BeO, AlN, Al2O3
Нэрлэсэн эсэргүүцлийн утга: 50Ω
Эсэргүүцлийн хүлцэл: ± 5%, ± 2%, ± 1%
Температурын коэффициент:<150ppm/℃
Ашиглалтын температур: -55~+150℃
ROHS стандарт: нийцэж байна
Холбогдох стандарт: Q/RFTYTR001-2022
Хар тугалганы урт: Өгөгдлийн хуудсанд заасан L
(Хэрэглэгчийн шаардлагад нийцүүлэн өөрчлөх боломжтой)

Үнэлгээ1
Хүч(W) Давтамж Хэмжээ (нэгж: мм) СубстратМатериал Мэдээллийн хуудас(PDF)
A B H G W L
5W 6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3     RFT50A-05TM0404
11 ГГц 1.27 2.54 0.5 1.0 0.8 3.0 АлН     RFT50N-05TJ1225
10Вт 4 ГГц 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 BeO     RFT50-10TM2550
6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50A-10TM0404
8 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM0404
10 ГГц 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM5035
18 ГГц 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM5023
20Вт 4 ГГц 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 BeO     RFT50-20TM2550
6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50N-20TJ0404
8 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM0404
10 ГГц 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM5035
18 ГГц 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM5023
30 Вт 6 ГГц 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 АлН     RFT50N-30TJ0606
6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-30TM0606
60 Вт 6 ГГц 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 АлН     RFT50N-60TJ0606
6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-60TM0606
6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-60TJ6363
100 Вт 3 GHz 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 АлН     RFT50N-100TJ6395
8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 АлН     RFT50N-100TJ8957
9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-100TJ9595
4 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-100TJ1010
6 ГГц 6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-100TJ6363
8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 АлН     RFT50N-100TJ8957B
     
8 ГГц 9.0 6.0 1.5 2.0 1.0 5.0 BeO     RFT50-100TJ0906C
150 Вт 3 GHz 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 АлН     RFT50N-150TJ6395
9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ9595
4 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ1010
6 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ1010B
200 Вт 3 GHz 9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-200TJ9595
 
4 ГГц 10.0 10.0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-200TJ1010
10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-200TM1313B
250 Вт 3 GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 BeO     RFT50-250TM1210
10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-250TM1313B
300 Вт 3 GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5.0 BeO     RFT50-300TM1210
10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-300TM1313B
400 Вт 2 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-400TM1313
500 Вт 2 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-500TM1313
800 Вт 1 ГГц 25.4 25.4 3.2 4 6 7 BeO     RFT50-800TM2525

Тойм

Хар тугалгатай дуусгавар нь эсэргүүцэл, хэлхээний хэвлэх, синтерлэх замаар янз бүрийн давтамжийн шаардлага, эрчим хүчний шаардлагад үндэслэн тохирох субстратын хэмжээ, материалыг сонгох замаар хийгддэг.Түгээмэл хэрэглэгддэг субстратын материалууд нь ихэвчлэн бериллийн исэл, хөнгөн цагаан нитрид, хөнгөн цагаан исэл, эсвэл илүү сайн дулаан ялгаруулах материал байж болно.

Хар тугалгатай төгсгөлийг нимгэн хальсан процесс, зузаан хальсны процесс гэж хуваадаг.Энэ нь тодорхой эрчим хүч, давтамжийн шаардлагад үндэслэн бүтээгдсэн бөгөөд дараа нь процессоор боловсруулдаг.Хэрэв танд онцгой хэрэгцээ байгаа бол манай борлуулалтын ажилтнуудтай холбогдож, тохируулга хийх тодорхой шийдлүүдийг гаргаж өгнө үү.


  • Өмнөх:
  • Дараачийн:

  • Энд мессежээ бичээд бидэнд илгээгээрэй