Тэргүүлсэн цуцлалт
Үндсэн техникийн үзүүлэлтүүд:
Нэрлэсэн хүч: 5-800W;
Субстрат материал: BeO, AlN, Al2O3
Нэрлэсэн эсэргүүцлийн утга: 50Ω
Эсэргүүцлийн хүлцэл: ± 5%, ± 2%, ± 1%
Температурын коэффициент:<150ppm/℃
Ашиглалтын температур: -55~+150℃
ROHS стандарт: нийцэж байна
Холбогдох стандарт: Q/RFTYTR001-2022
Хар тугалганы урт: Өгөгдлийн хуудсанд заасан L
(Хэрэглэгчийн шаардлагад нийцүүлэн өөрчлөх боломжтой)
Хүч(W) | Давтамж | Хэмжээ (нэгж: мм) | СубстратМатериал | Мэдээллийн хуудас(PDF) | |||||
A | B | H | G | W | L | ||||
5W | 6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
11 ГГц | 1.27 | 2.54 | 0.5 | 1.0 | 0.8 | 3.0 | АлН | RFT50N-05TJ1225 | |
10Вт | 4 ГГц | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-10TM2550 |
6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
8 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM0404 | |
10 ГГц | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5035 | |
18 ГГц | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5023 | |
20Вт | 4 ГГц | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-20TM2550 |
6 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
8 ГГц | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM0404 | |
10 ГГц | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5035 | |
18 ГГц | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5023 | |
30 Вт | 6 ГГц | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-30TJ0606 |
6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-30TM0606 | ||
60 Вт | 6 ГГц | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-60TJ0606 |
6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TM0606 | ||
6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TJ6363 | ||
100 Вт | 3 GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | АлН | RFT50N-100TJ6395 |
8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-100TJ8957 | ||
9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ9595 | ||
4 ГГц | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ1010 | |
6 ГГц | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ6363 | |
8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | АлН | RFT50N-100TJ8957B | ||
8 ГГц | 9.0 | 6.0 | 1.5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ0906C | |
150 Вт | 3 GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | АлН | RFT50N-150TJ6395 |
9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ9595 | ||
4 ГГц | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010 | |
6 ГГц | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010B | |
200 Вт | 3 GHz | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ9595 |
4 ГГц | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ1010 | |
10 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TM1313B | |
250 Вт | 3 GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1210 |
10 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1313B | |
300 Вт | 3 GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1210 |
10 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1313B | |
400 Вт | 2 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-400TM1313 |
500 Вт | 2 ГГц | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-500TM1313 |
800 Вт | 1 ГГц | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | BeO | RFT50-800TM2525 |
Хар тугалгатай дуусгавар нь эсэргүүцэл, хэлхээний хэвлэх, синтерлэх замаар янз бүрийн давтамжийн шаардлага, эрчим хүчний шаардлагад үндэслэн тохирох субстратын хэмжээ, материалыг сонгох замаар хийгддэг.Түгээмэл хэрэглэгддэг субстратын материалууд нь ихэвчлэн бериллийн исэл, хөнгөн цагаан нитрид, хөнгөн цагаан исэл, эсвэл илүү сайн дулаан ялгаруулах материал байж болно.
Хар тугалгатай төгсгөлийг нимгэн хальсан процесс, зузаан хальсны процесс гэж хуваадаг.Энэ нь тодорхой эрчим хүч, давтамжийн шаардлагад үндэслэн бүтээгдсэн бөгөөд дараа нь процессоор боловсруулдаг.Хэрэв танд онцгой хэрэгцээ байгаа бол манай борлуулалтын ажилтнуудтай холбогдож, тохируулга хийх тодорхой шийдлүүдийг гаргаж өгнө үү.