Хоног нь ерөнхийдөө зэс бүрсэн никель эсвэл мөнгөний боловсруулалтаар хийгдсэн байдаг.Эсэргүүцлийн субстрат нь ерөнхийдөө бериллийн исэл, хөнгөн цагаан нитрид, хөнгөн цагаан ислийн хэвлэмэл материалаар хийгдсэн бөгөөд эрчим хүчний шаардлага, дулаан ялгаруулах нөхцлийн дагуу.
Хоноггүй холбох төгсгөлийн нэгэн адил голчлон хэлхээний төгсгөлд дамжих дохионы долгионыг шингээж, дохионы тусгал хэлхээнд нөлөөлөхөөс сэргийлж, хэлхээний системийн дамжуулалтын чанарыг хангахад ашигладаг.
Хоног бэхэлгээний төгсгөл нь фланц болон фланц дээр суурилуулах нүхнүүдийн улмаас нөхөөсийн резисторуудтай харьцуулахад хялбар суурилуулах онцлогтой.
Хоног бэхэлгээний төгсгөл | |||||
Хүч | Давтамж | Хэмжээ (L*W) | Субстрат | Загвар | Тайлбар |
5W | 6 ГГц | 13*4 | Al2O3 | RFT50A-05TM1304 | Хоног бэхэлгээ |
9*4 | Al2O3 | RFT50A-05TM0904(R, L, I) | Хагас фланц | ||
10Вт | 4 ГГц | 7.7*5 | BeO | RFT50-10TM7750(R, L) | Хагас фланц |
6 ГГц | 13*4 | Al2O3 | RFT50A-10TM1304 | Хоног бэхэлгээ | |
9*4 | Al2O3 | RFT50A-10TM0904(R, L, I) | Хагас фланц | ||
8 ГГц | 9*4 | BeO | RFT50-10TM0904(R, L, I) | Хагас фланц | |
13*4 | BeO | RFT50-10TM1304 | Хоног бэхэлгээ | ||
11*4 | BeO | RFT50-10TM1104 | Хоног бэхэлгээ | ||
18 ГГц | 7.7*5 | BeO | RFT50-10TM7750I | Хагас фланц | |
20Вт | 4 ГГц | 7.7*5 | BeO | RFT50-20TM7750(R, L) | Хагас фланц |
6 ГГц | 13*4 | 4*4 | RFT50N-20TJ1304 | Хоног бэхэлгээ | |
11*4 | 4*4 | RFT50N-20TJ1104 | Хоног бэхэлгээ | ||
9*4 | АлН | RFT50N-20TJ0904(R, L, I) | Хагас фланц | ||
8 ГГц | 9*4 | BeO | RFT50-20TM0904(R, L, I) | Хагас фланц | |
13*4 | BeO | RFT50-20TM1304 | Хоног бэхэлгээ | ||
11*4 | BeO | RFT50-20TM1104 | Хоног бэхэлгээ | ||
18 ГГц | 7.7*5 | BeO | RFT50-20TM7750I | Хагас фланц | |
30 Вт | 6 ГГц | 20*6 | АлН | RFT50-30TJ2006 | Хоног бэхэлгээ |
13*6 | АлН | RFT50-30TJ1306(R, L, I) | Хагас фланц | ||
60 Вт | 6 ГГц | 20*6 | АлН | RFT50-60TJ2006 | Хоног бэхэлгээ |
13*6 | АлН | RFT50-60TJ1306(R, L, I) | Хагас фланц | ||
100Вт | 3 GHz | 16*6 | АлН | RFT50N-100TJ1606 | Хоног бэхэлгээ |
20*6 | АлН | RFT50N-100TJ2006 | Хагас фланц | ||
24.8*9.5 | BeO | RFT50-100TM2595 | Хоног бэхэлгээ | ||
16*10 | BeO | RFT50-100TM1610(R, L, I) | Хагас фланц | ||
23*10 | BeO | RFT50-100TM2310 | Хоног бэхэлгээ | ||
24.8*10 | BeO | RFT50-100TM2510 | Хагас фланц | ||
4 ГГц | 16*6 | BeO | RFT50-100TJ1606 | Хоног бэхэлгээ | |
20*6 | BeO | RFT50-100TJ2006 | Хоног бэхэлгээ | ||
24.8*6 | BeO | RFT50-100TM2506 | Хоног бэхэлгээ | ||
5 ГГц | 13*6.35 | BeO | RFT50-100TM1363(R, L, I) | Хагас фланц | |
16.6*6.35 | BeO | RFT50-100TM1663 | Хоног бэхэлгээ | ||
6 ГГц | 16*6 | АлН | RFT50N-100TJ1606B | Хоног бэхэлгээ | |
20*6 | АлН | RFT50N-100TJ2006B | Хоног бэхэлгээ | ||
8 ГГц | 20*6 | BeO | RFT50-100TJ2006B | Хоног бэхэлгээ | |
150 Вт | 3 GHz | 22*9.5 | АЛН | RFT50N-150TJ2295 | Хоног бэхэлгээ |
24.8*9.5 | BeO | RFT50-150TM2595 | Хоног бэхэлгээ | ||
16*10 | BeO | RFT50-150TM1610(R,L,I) | Хагас фланц | ||
24.8*10 | BeO | RFT50-150TM2510 | Хоног бэхэлгээ | ||
200 Вт | 3 GHz | 24.8*9.5 | BeO | RFT50-200TM2595 | Хоног бэхэлгээ |
16*10 | BeO | RFT50-200TM1610(R, L, I) | Хагас фланц | ||
24.8*10 | BeO | RFT50-200TM2510 | Хоног бэхэлгээ | ||
10 ГГц | 32*12.7 | BeO | RFT50-200TM3213B | Хоног бэхэлгээ | |
250 Вт | 3 GHz | 24.8*10 | BeO | RFT50-250TM2510 | Хоног бэхэлгээ |
27*10 | BeO | RFT50-250TM2710 | Хоног бэхэлгээ | ||
10 ГГц | 32*12.7 | BeO | RFT50-250TM3213B | Хоног бэхэлгээ | |
300 Вт | 3 GHz | 24.8*10 | BeO | RFT50-300TM2510 | Хоног бэхэлгээ |
27*10 | BeO | RFT50-300TM2710 | Хоног бэхэлгээ | ||
10 ГГц | 32*12.7 | BeO | RFT50-300TM3213B | Хоног бэхэлгээ | |
400 Вт | 2 ГГц | 32*12.7 | BeO | RFT50-400TM3213 | Хоног бэхэлгээ |
500 Вт | 2 ГГц | 32*12.7 | BeO | RFT50-500TM3213 | Хоног бэхэлгээ |
800 Вт | 1 ГГц | 48*26 | BeO | RFT50-800TM4826 | Хоног бэхэлгээ |
1000 Вт | 1 ГГц | 32*12.7 | BeO | RFT50-1000TM4826 | Хоног бэхэлгээ |
1500 Вт | 1 ГГц | 50*78 | BeO | RFT50-1500TM5078 | Хоног бэхэлгээ |